Samsung dévoile une nouvelle puce mémoire

jeudi 18 mars 2010

BE Corée 50

Samsung Electronics a annoncé être en mesure de produire pour la première fois au monde une puce DRAM DDR3 de 2Go pour une taille de 30 nanomètres. Le groupe indique que la puce sera produite en masse d'ici la fin de cette année. La puce de 30 nanomètres améliorerait la productivité de 60% par rapport aux puces 40 nanomètres et nécessiterait en outre 15% d'énergie en moins. Cette nouvelle puce est plus puissante et moins chère que les versions existantes sur le marché aujourd'hui. "Avec notre dernière version de puce, nous sommes en avance d'un an sur nos concurrents en termes de production compétitive" indique JO Su-In, directeur des puces mémoires de Samsung (la plupart des fabricants étrangers, en particulier au Japon et à Taiwan sont capables de produire des puces de 50 et 60 nanomètres).

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http://www.bulletins-electroniques.com/actualites/62632.htm

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