STMicroelectronics et Intel s’associent dans les mémoires flash

lundi 31 mars 2008

20080331_04 C'est peut-être un tournant dans le développement des mémoires flash : Intel, le numéro Un des semiconducteurs et STMicroelectronics, le numéro Un européen, créent Numonyx, une joint venture qui est spécialisée dans la fabrication des mémoires flash. Cette nouvelle structure prend la première place avec 35,7 % de parts de marché devant Spansion. L'annonce intervient au moment où le Gartner vient de publier son classement des dix premiers fournisseurs de semiconducteurs qui place Intel, Samsung et Toshiba aux trois premières places. Globalement, le secteur progresse de 4 % avec un chiffre d'affaires cumulé de 274 milliards de dollars.

Les mémoires flash devraient être amenées à jouer un rôle de plus en plus important à mesure que leur capacité croît et que leur prix décroît, plutôt rapidement ces derniers temps. Le fournisseur de mémoire Super Talent a annoncé la semaine dernière des disques de mémoire Flash SSD d'une capacité de 256 Go. Et certains constructeurs de PC proposent désormais des portables dotés seulement de mémoire de stockage de ce type.

Intel et STMicroelectronics s'associent donc pour créer la société Numonyx, une joint venture entièrement dédiée au domaine des mémoires flash. STMicroelectronics détient 49 % du capital de cette structure et Intel 45 % tandis que la société d'investissement Francisco Partners en possèdera les 6 % restants. Cette nouvelle structure est placée sous la responsabilité de Brian Harrison, un ancien cadre dirigeant d'Intel, qui se voit confié le poste de CEO.

Numonyx possède une usine en Israël - d'origine Intel - et à Singapour d'origine STMicroelectronics. Elle est basée à Rolle en Suisse. Les deux usines fabriquent déjà des mémoires flash de type NOR, des mémoires utilisées dans les téléphones portables, mais qui ont été largement supplantées ces derniers temps par les mémoires de type NAND. Par ailleurs, Numonyx et Hynix Semiconductor possèdent une participation dans une unité de fabrication de mémoire flash NAND en Chine.

Numonyx, qui consolide les fabrications des deux positions d'Intel et de STMicroelectronics, devient ainsi numéro Un sur le marché des mémoires flash avec 35,7 % de parts de marché (selon le cabinet iSupply au 4^e trimestre 2007) devant Spansion (33,6 %) et Samsung (15 %).

Intel conforte sa position de numéro Un des semiconducteurs

Cette annonce intervient alors que le Gartner vient de publier le classement des fournisseurs de semiconducteurs eu qui voit la consolidation d'Intel en tant que numéro Un du secteur : Intel effectue une belle progression de son chiffre d'affaires qui passe de 30,5 à 33,8 milliards de dollars (10,7%) alors que Samsung, son numéro deux voit son chiffre d'affaires semiconducteurs marquer le pas avec une petite augmentation de 1,6 %.

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On le sait c'est un secteur à changement de cap très rapide et l'année 2007 ne fait pas exception. Le segment des mémoires DRAM par exemple a connu une régression de 2,4 milliards de dollars, notamment en raison de la forte chute des prix résultant d'un excédent dans les stocks.

Toshiba affiche une belle progression de 20,8 % alors qu'AMD doit essuyer un recul de plus de 20 %. Cette belle performance est largement basée selon le Gartner sur les produits grand public, en particulier les composants ASIC pour la PS3, les mémoires flash NAND pour les téléphones portables. Après quelques années où il s'était montré très offensif en damant le pion à son grand rival Intel dans le développement de certaines technologies, AMD s'engage donc dans une passe difficile.

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NOR et NAD : deux types de mémoires flash

La mémoire flash est un type d'EEPROM qui permet la modification de plusieurs espaces mémoires en une seule opération. La mémoire flash est plus rapide lorsque le système doit écrire à plusieurs endroits en même temps.

L'écriture et l'effacement des données dans une mémoire Flash (on parle de programmation) s'effectuent par l'application de différentes tensions aux points d'entrée de la cellule. Ces opérations soumettent la grille flottante à rude épreuve ; on estime qu'une mémoire Flash peut supporter jusqu'à 100 000 écritures et effacements, selon la qualité de l'oxyde utilisé pour la grille.

NOR
La mémoire flash NOR fut la première à être développée, inventée par Intel en 1988. Les temps d'effacement et d'écriture sont longs mais elle possède une interface d'adressage permettant un accès aléatoire et rapide à n'importe quelle position. Le stockage des données est 100 % garanti par le fabricant.

Elle est adaptée à l'enregistrement de données informatiques destinées à être exécutées directement à partir de cette mémoire.

NAND
La mémoire flash NAND, développée par Toshiba, suivit en 1989. Elle est plus rapide à l'effacement et à l'écriture, offre une plus grande densité et un coût moins important par bit. Toutefois son interface d'entrée / sortie n'autorise que l'accès séquentiel aux données. Elle est utilisée pour le stockage d'informations. Quasiment toutes les mémoires de masse externes Carte MMC, Carte SD et Carte MS sont basées sur ce format.

(Source : Wikipedia)