Samsung produit un prototype de mémoire DDR3 de nouvelle génération

Samsung Electronics annonce avoir produit la première puce DRAM (mémoire dynamique à accès direct) DDR3. Ce nouveau circuit DRAM DDR3 de 512 Mbits, capable de traiter les données à la cadence de 1066 Mbit/s (l’équivalent de 8 000 pages de journal par seconde), sera commercialisé au début de l’année 2006.

La technologie DDR3 (double débit de données) est destinée à devenir le standard utilisé par les puces mémoire ultra-rapides et économes en énergie de prochaine génération, qui équiperont les ordinateurs portables, les ordinateurs de bureau et les serveurs.

Le prototype DDR3 de Samsung est la première puce mémoire à fonctionner avec une alimentation réduite à 1,5 V et à ménager ainsi les batteries, dans un monde qui utilise de plus en plus d’appareils sans fil. La cadence de fonctionnement de la technologie DDR3 est le double de celle de DDR2 et le quadruple de celle de DDR, inaugurant une plate-forme capable d’amener les cadences de traitement jusqu’au gigabit par seconde. Elle recourt également à une technologie de production avec gravure en 80 nm et inclut de nouvelles fonctionnalités notamment l’étalonnage automatique et la synchronisation des données.

Selon IDC, les premières puces DRAM DDR3 seront vendues en 2006 et elles représenteront 65% du marché des mémoires DRAM en 2009.